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MOS场效应管(单) Infineon IPN70R600P7SATMA1

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Infineon IPN70R600P7SATMA1

制造商型号: IPN70R600P7SATMA1
制造商: Infineon
封装/规格: SOT-223-2(TO-261-3)
商品描述:
N沟道 VDS=700V VGS=±16V ID=8.5A

PDF资料: IPN70R600P7SATMA1.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3.5V@90µA

    漏极电流Idss

    8.5A

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    700V

    漏源电压(Vdss)

    700V

    导通电阻Rds On(Max)

    600mΩ

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 IPN70R600P7SATMA1.pdf

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