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MOSFETs VBsemi VBK3215N

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi VBK3215N

制造商型号: VBK3215N
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-363
商品描述:
SC70-6 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.086mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.0V@250μA

PDF资料: VBK3215N.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    2.6A

    导通电阻Rds On(Max)

    180mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    -

    功率(Max)

    2.7W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-363

    技术资料文档
    数据手册 VBK3215N.pdf

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