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MOS场效应管 Nexperia 2N7002/HAMR

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Nexperia 2N7002/HAMR

制造商型号: 2N7002/HAMR
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-23,TO-236AB
商品描述:
2N7002/SOT23/TO-236AB

PDF资料: 2N7002/HAMR.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    300mA

    导通电阻Rds On(Max)

    栅极电荷(Qg)(Max)

    -

    输入电容(Ciss)(Max)

    50pF

    功率(Max)

    830mW

    工作温度(Tj)

    -65°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23,TO-236AB

    技术资料文档
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