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MOS场效应管(单) Vishay 2N7002-T1-GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Vishay 2N7002-T1-GE3

制造商型号: 2N7002-T1-GE3
制造商: Vishay
封装/规格: SOT-346
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=200mW

PDF资料: 2N7002-T1-GE3.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    115mA

    导通电阻Rds On(Max)

    7.5Ω

    功率(Max)

    200mW

    封装/外壳

    SOT-346

    技术资料文档
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