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MOS场效应管 Cree C3M0075120K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Cree C3M0075120K

制造商型号: C3M0075120K
制造商: Cree
封装/规格: TO_247_4
商品描述:
MOSFETN-CHSICFET1.2KVTO247-4

PDF资料: C3M0075120K.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@5mA

    漏极电流Idss

    30A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    90毫欧@20A,15V

    漏源极电压(Vdss)

    1200V(1.2kV)

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    1200V

    导通电阻Rds On(Max)

    90mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    51nC

    功率(Max)

    119W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    通孔(THT)

    技术资料文档
    数据手册 C3M0075120K.pdf

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