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MOS(场效应管) ON NTS4001NT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS(场效应管) ON NTS4001NT1G

制造商型号: NTS4001NT1G
制造商: ON
封装/规格: SC_70,SOT_323
商品描述:
N沟道,Vdss=30V,Idss=270mA

PDF资料: NTS4001NT1G.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.5V@100µA

    漏极电流Idss

    270mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    1.5欧姆@10mA,4V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    270mA

    导通电阻Rds On(Max)

    1.5Ω

    输入电容(Ciss)(Max)

    33pF

    功率(Max)

    330mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 NTS4001NT1G.pdf

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