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MOS场效应管(单) UTC UT9564G-SO8-R

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) UTC UT9564G-SO8-R

制造商型号: UT9564G-SO8-R
制造商: UTC
封装/规格: SO-8
商品描述:
P沟道 VDS=-40V VGS=±25V ID=-7.3A P=2W

PDF资料: UT9564G-SO8-R.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    漏极电流Idss

    7.3A

    FET类型

    P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    40V

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    40V

    导通电阻Rds On(Max)

    28mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    27nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    2240pF

    功率(Max)

    2.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
    数据手册 UT9564G-SO8-R.pdf

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