张总
13923880174
MOS场效应管(单) VBsemi VBI1101M
| 制造商型号： VBI1101M | 制造商：
VBsemi |
| 封装/规格： SOT-89 | |
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商品描述：
场效应管 SOT89-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道,100V,3.1A,126mΩ@10V
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PDF资料： VBI1101M.pdf | |
交货地：货期(工作日）：2小时发货
库 存：
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Emily
