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MOSFET VBsemi SI1967DH-T1-GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFET VBsemi SI1967DH-T1-GE3

制造商型号: SI1967DH-T1-GE3
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-323,SC-70
商品描述:
SC70-6 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):155mΩ@4.5V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):210pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):33pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: SI1967DH-T1-GE3.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    P+P沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    1.8A

    导通电阻Rds On(Max)

    235mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    8nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    210pF

    功率(Max)

    1.4W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-323,SC-70

    技术资料文档
    数据手册 SI1967DH-T1-GE3.pdf

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