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MOS场效应管 Nexperia PSMN1R2-25YLC,115

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Nexperia PSMN1R2-25YLC,115

制造商型号: PSMN1R2-25YLC,115
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-669,LFPAK,Power-SO8)
商品描述:
N沟道 VDS=25V VGS=±20V ID=100A P=179W

PDF资料: PSMN1R2-25YLC,115.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.95V@1mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    1.3毫欧@25A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    25V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    25V

    连续漏极电流Id@25℃

    100A

    导通电阻Rds On(Max)

    1.3mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    66nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    4173pF

    功率(Max)

    179W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

    技术资料文档
    数据手册 PSMN1R2-25YLC,115.pdf

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