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MOS场效应管(单) Infineon BSP125H6327XTSA1

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Infineon BSP125H6327XTSA1

制造商型号: BSP125H6327XTSA1
制造商: Infineon
封装/规格: SOT-223-3(TO-261-4,TO-261AA)
商品描述:
N沟道 VDS=600V VGS=±20V ID=120mA P=1.8W

PDF资料: BSP125H6327XTSA1.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.3V@94µA

    漏极电流Idss

    120mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    45欧姆@120mA,10V

    漏源极电压(Vdss)

    600V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    600V

    连续漏极电流Id@25℃

    120mA

    导通电阻Rds On(Max)

    26Ω

    功率(Max)

    1.8W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 BSP125H6327XTSA1.pdf

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