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MOS场效应管(单) Nexperia PSMN102-200Y,115

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Nexperia PSMN102-200Y,115

制造商型号: PSMN102-200Y,115
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-669,LFPAK,Power-SO8)
商品描述:
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=21.5A P=113W

PDF资料: PSMN102-200Y,115.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@1mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    102毫欧@12A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    200V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    200V

    连续漏极电流Id@25℃

    21.5A

    导通电阻Rds On(Max)

    102mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    30.7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1568pF

    功率(Max)

    113W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

    技术资料文档
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