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MOS场效应管 TI CSD16570Q5B

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 TI CSD16570Q5B

制造商型号: CSD16570Q5B
制造商: TI
封装/规格: 8_PowerTDFN
商品描述:
N沟道 VDS=25V VGS=±20V ID=100A P=3.2W

PDF资料: CSD16570Q5B.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.9V@250µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    0.59毫欧@50A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    25V

    是否无铅

    含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    25V

    导通电阻Rds On(Max)

    0.59mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    250nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    14000pF

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 CSD16570Q5B.pdf

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