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MRAM磁性随机存储器 CYPRESS S34ML02G200BHI000

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MRAM磁性随机存储器 CYPRESS S34ML02G200BHI000

制造商型号: S34ML02G200BHI000
制造商: CYPRESS
封装/规格: 63-FBGA
商品描述:
FLASH存储器 工作电压(范围):

PDF资料: S34ML02G200BHI000.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MRAM磁性随机存储器

    包装

    Tray

    接口类型

    Parallel

    写周期时间-字,页

    25ns

    原始制造商

    Cypress Semiconductor

    品牌

    Cypress

    零件状态

    Obsolete

    系列

    ML-2

    技术

    FLASH - NAND

    存储器类型

    FLASH

    存储器格式

    FLASH

    存储容量

    1Mb (128K x 8)

    工作电压(范围)

    3.6V

    工作温度

    -40~+85℃

    安装类型

    SMT

    封装/外壳

    63-FBGA

    技术资料文档
    数据手册 S34ML02G200BHI000.pdf

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