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首页WILLSEMI的搜索结果 当前“WILLSEMI”共 47 条相关产品

WILLSEMI

图片 原厂型号 品牌 描述 库存 参考价格 封装
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI SPD9103W-2/TR SPD9103W-2/TR WILLSEMI
ESD抑制器/TVS二极管 线路,双向,低电容 SOD-23
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现货: 3000

¥0.34500

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SOD-323
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESDA6V1W5-5/TR ESDA6V1W5-5/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9A 反向截止电压(Vrwm):5V 极性:单向 最大钳位电压:11V 击穿电压(最小值):6.2V
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现货: 3000

¥0.25500

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SOT-353, SC-88A
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD9N5BU-2/TR ESD9N5BU-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:3A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V 极性:双向 最大钳位电压:18V 击穿电压(最小值):7V
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现货: 190

¥0.20224

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DFN1006
MOSFETs WILLSEMI WPM1480-3/TR WPM1480-3/TR WILLSEMI
输入电容(Ciss@Vds):480pF 10V 反向传输电容(Crss@Vds):51pF 10V 功率(Pd):290mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ 4.5V,1A 栅极电荷(Qg@Vgs):6.5nC 4.5V 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1.4A 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 工作温度(最小值):-55℃ (Tj) 类型:P沟道
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现货: 100

¥0.37395

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SOD-323
MOSFETs WILLSEMI WPM3407-3/TR WPM3407-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ 10V,4.4A 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.7A 类型:P沟道 P沟道,-30V,-4.4A
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现货: 2785

¥0.45001

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SOT-23-3
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5411N-2/TR ESD5411N-2/TR WILLSEMI
反向关断电压(典型值):7V (Max) 击穿电压(最小值):7.2V 峰值脉冲电流(10/1000us):6A (8/20us) 极性:Bidirectional 箝位电压:12V
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现货: 250

¥0.17999

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SOD-882,DFN1006-2
线性稳压器(LDO) WILLSEMI(韦尔) WL2803E18-5/TR WL2803E18-5/TR WILLSEMI(韦尔)
输出类型:固定 输出极性:正 输出通道数:1 最大输入电压:5.5V 输出电压:1.8V~1.8V 压差:230mV@(500mA) 电源纹波抑制比(PRSS):65dB@(1kHz),58dB@(10kHz)
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现货: 1

¥0.52936

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SOT-23-5L
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5301N-2/TR ESD5301N-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V (最大值) 极性:单向 最大钳位电压:15V 击穿电压(最小值):7V
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现货: 1000

¥0.26984

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DFN1006
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESDA6V8UD-10/TR ESDA6V8UD-10/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V 极性:单向 最大钳位电压:12V 击穿电压(最小值):7V
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现货: 100

¥0.37395

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DFN2510-10
肖特基二极管 WILLSEMI WSB5557Z-2/TR WSB5557Z-2/TR WILLSEMI
正向压降(Vf):460mV 10mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):100mA
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现货: 200

¥0.23801

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DFN0603
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD9B5VL-2/TR ESD9B5VL-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:3A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V 极性:双向 最大钳位电压:11V 击穿电压(最小值):5.8V
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现货: 960

¥0.26984

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FBP-02
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD9N12BA-2/TR ESD9N12BA-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.5A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):12V 极性:双向 最大钳位电压:18V 击穿电压(最小值):13V
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现货: 1000

¥0.17986

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DFN1006
MOSFETs WILLSEMI WNM6001-3/TR WNM6001-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):690mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω 10V,500mA 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 类型:N沟道
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现货: 2604

¥0.15255

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SOT-23-3
集成电路芯片 WILLSEMI(韦尔) ESD5451N-2/TR ESD5451N-2/TR WILLSEMI(韦尔)
DFN1006-2L 5V(RWM)5.1V(VBR)80W
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现货: 20

¥0.15058

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DFN1006-2L
MOSFETs WILLSEMI WNM2016A-3/TR WNM2016A-3/TR WILLSEMI
单n通道,20V, 4.7A,功率MOSFET
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现货: 3000

¥0.24000

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SOT-23-3
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5431N-2/TR ESD5431N-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:10A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):3.3V 极性:双向 最大钳位电压:10V 击穿电压(最小值):3.4V
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现货: 9700

¥0.09000

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DFN1006
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD9X5VU-2/TR ESD9X5VU-2/TR WILLSEMI
反向关断电压(典型值):5V (Max) 击穿电压(最小值):7V 峰值脉冲电流(10/1000us):4A (8/20us) 极性:Unidirectional 箝位电压:18V (Typ)
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现货: 1000

¥0.21586

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DFN1006
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5304D-10/TR ESD5304D-10/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V 极性:单向 最大钳位电压:12V 击穿电压(最小值):7V
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现货: 835

¥0.33000

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DFN2510-10
MOSFETs WILLSEMI WPT2E33-3/TR WPT2E33-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):3W 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 晶体管类型:PNP
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现货: 500

¥0.50355

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SOT-89
线性稳压器及LDO WILLSEMI WL2801E18-5/TR WL2801E18-5/TR WILLSEMI
输出类型:固定 工作温度:-40℃~+85℃ 最大输入电压:5.5V 输出电压(固定):1.8V 最大输出电流:200mA 使能脚:- 压差:170mV (200mA) 输出极性:正 电源纹波抑制比(PRSS):75dB (217Hz),65dB@(10kHz) 最小输出电压(可调):- 输出通道数:1 最大输出电压(可调):- Vin=2.7V~5.5V,Vout=1.8V
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现货: 3000

¥0.28500

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SOT-23-5
粤ICP备2021094758号-2 营业执照

张总

13923880174

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