是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

可控硅类型 双向可控硅

断态电压 600V

通态电流It(RMS)(Max) 800mA

栅极触发电压(Max) 1V

栅极触发电流(Max) 10mA

工作温度(Tj) 125°C

安装类型 通孔(THT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

可控硅类型 双向可控硅

断态电压 600V

通态电流It(RMS)(Max) 1A

栅极触发电压(Max) 1.3V

栅极触发电流(Max) 3mA

工作温度(Tj) 125°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 222毫欧@1.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 1.5A

导通电阻Rds On(Max) 222mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 4.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 177pF

功率(Max) 480mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

封装/外壳 TO-220

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5欧姆@100mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

导通电阻Rds On(Max) 4.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.51nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF

功率(Max) 300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.4A

导通电阻Rds On(Max) 37mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 266pF

功率(Max) 660W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 500毫欧@7.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

导通电阻Rds On(Max) 500mΩ

功率(Max) 150W

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-247 ,SOT-429

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ