阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 1.6A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 345毫欧@1.25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 345mΩ

功率(Max) 1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss 180mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6欧姆@115mA，5V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 180mA

导通电阻Rds On(Max) 6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 23pF

功率(Max) 370mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 2.4V@250µA

漏极电流Idss 12A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 100V

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 175mΩ

功率(Max) 60W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss -4.3A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -40V

漏源电压(Vdss) 40V

导通电阻Rds On(Max) 73mΩ

功率(Max) 2W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss -5A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 53mΩ

功率(Max) 1.8W

安装类型 表面贴装(SMT)

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.5nC

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA

漏极电流Idss 9.7A

FET类型 N+N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 7.0mΩ

功率(Max) 1W

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.06V@250µA

漏极电流Idss 220mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4欧姆@400mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 220mA

导通电阻Rds On(Max) 4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 9.5pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1.5V@1mA

漏极电流Idss 220mA

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 50V

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

导通电阻Rds On(Max) 3.5Ω

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 500mV@250µA

漏极电流Idss -7.1A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 17mΩ

功率(Max) 1.4W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L