TRANS NPN 45V 1A SOT1061
品牌:Nexperia
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是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 500mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 63
集电极电流Ic(Max) 1000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 45V
功率(Max) 420mW
跃迁频率 180MHz
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-1061
TRANS PNP 80V 1A SOT1061
晶体管类型 PNP
集射极击穿电压Vce(Max) 80V
跃迁频率 145MHz
零件状态 Digi-Key已不再提供
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 145MHz 420mW Surface Mount 3-HUSON (2x2)
集射极击穿电压Vce(Max) 60V
IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061
封装/外壳 SOT-1061D,DFN2020D-3
TRANS NPN 60V 1A SOT-223
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
功率(Max) 650mW
封装/外壳 SOT-223
PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=160~300 P=1W fT=100MHz D档 TO-92
品牌:JCET
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 160
集电极电流Ic(Max) 1500mA
集射极击穿电压Vce(Max) 25V
功率(Max) 1W
跃迁频率 100MHz
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-92
PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=300~400 fT=100MHz P=300mW
集电极电流Ic(Max) 1.5A
功率(Max) 300mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=130~200 P=200mW
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 130
集电极电流Ic(Max) 150mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 200mW
跃迁频率 80MHz