PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=112~166 fT=150MHz P=625mW
品牌：JCET
历史库存：0
历史单价：0
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 122
集电极电流Ic(Max) 500mA
集射极击穿电压Vce(Max) 25V
功率(Max) 625mW
跃迁频率 150MHz
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 通孔(THT)
PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=200~350 fT=150MHz P=300mW
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 120
功率(Max) 300mW
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
功率(Pd)：350mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~600
品牌：KEC
历史单价：0.06616（最新价格请咨询）
元件生命周期 Active
存储温度 -55~+150℃
品牌 KEC
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100~1000
集电极电流Ic(Max) 150mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 350mW
跃迁频率 60MHz
封装/外壳 SOT-23-3
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
品牌：Nexperia
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
系列 汽车级，AEC-Q101
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 300mV
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 45V
功率(Max) 250mW
跃迁频率 100MHz
封装/外壳 SOT-23
NPN Ic=100mA Vceo=30V hfe=200~450 P=250mW
历史单价：0.17999（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 600mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200
集射极击穿电压Vce(Max) 30V
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Vce饱和压降(Max) 650mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 125
集射极击穿电压Vce(Max) 65V
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
Vce饱和压降(Max) 400mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 110
通用三极管 NPN Vceo:45V Ic:1A Pd:1.3W SOT-89
品牌：SK
历史单价：0.25500（最新价格请咨询）
存储温度 -65~+150℃
高度 1.50mm
长x宽/尺寸 4.50 x 2.50mm
原产国家 China Taiwan
原始制造商 Taiwan shike Electronics co.,ltd
品牌 SK
是否无铅 Yes
零件状态 Active
Vce饱和压降(Max) 500mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 25
集电极电流Ic(Max) 1A
功率(Max) 1.3W
跃迁频率 130MHz
安装类型 SMT
封装/外壳 SOT-89
1A 500mW
品牌：Slkor
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。BCX52-16价格参考￥0.26400。SlkorBCX52-16封装/规格：SOT-89,1A 500mW。你可以下载BCX52-16中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：BCX52-16<!--
历史单价：0.36000（最新价格请咨询）
TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
品牌：DIODES
历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、Future、 等渠道进行代购。FMMT497TA价格参考￥0.49500。DIODESFMMT497TA封装/规格：SOT-346,TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3。你可以下载FMMT497TA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：FMMT497TA<!--
历史单价：0.67500（最新价格请咨询）
集射极击穿电压Vce(Max) 300V
功率(Max) 500mW
跃迁频率 75MHz
封装/外壳 SOT-346
