阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 98毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 89A

导通电阻Rds On(Max) 98mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 51.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 4266pF

功率(Max) 195W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

FET类型 N沟道

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 24A

导通电阻Rds On(Max) 33mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 628pF

功率(Max) 44W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 85A

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 21nC

输入电容(Ciss)(Max) 5067pF

功率(Max) 238W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 58A

导通电阻Rds On(Max) 13mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19nC

输入电容(Ciss)(Max) 1311pF

功率(Max) 85W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 52A

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15nC

输入电容(Ciss)(Max) 1039pF

功率(Max) 65W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

系列 *

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 750mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 600mA

集射极击穿电压Vce(Max) 40V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

系列 汽车级，AEC-Q101

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 250mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 80V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 50MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

系列 汽车级，AEC-Q101

零件状态 在售

晶体管类型 PNP +PNP

Vce饱和压降(Max) 400mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30

集电极电流Ic(Max) 200mA

集射极击穿电压Vce(Max) 40V

功率(Max) 240mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

系列 汽车级，AEC-Q101

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 400mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30

集电极电流Ic(Max) 200mA

集射极击穿电压Vce(Max) 40V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

系列 汽车级，AEC-Q101

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 1500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10000

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 30V

功率(Max) 1.25W

跃迁频率 125MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)