MOS场效应管(单) Vishay SI2369DS-T1-GE3
P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-7.6A P=2.5W
品牌:Vishay
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阈值电压Vgs(th)
2.5V@250µA
漏极电流Idss
7.6A
FET类型
P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)
29毫欧@5.4A,10V
漏源极电压(Vdss)
30V
是否无铅
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态
在售
漏源电压(Vdss)
30V
导通电阻Rds On(Max)
29mΩ
栅极电荷(Qg)(Max)
36nC
功率(Max)
1.25W
工作温度(Tj)
-55°C~150°C
安装类型
表面贴装(SMT)
封装/外壳
SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)