N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=11A P=36W
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
阈值电压Vgs(th) 4V@1mA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 150毫欧@5A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流Id@25℃ 11A
导通电阻Rds On(Max) 150mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 5.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 322pF
功率(Max) 36W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=75A P=167W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12毫欧@25A，10V
连续漏极电流Id@25℃ 75A
导通电阻Rds On(Max) 12mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 35nC
输入电容(Ciss)(Max) 2453pF
功率(Max) 167W
工作温度(Tj) -55°C~185°C
N沟道 VDS=40V VGS=±16V ID=100A P=204W
阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.2毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
是否无铅 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 100A
导通电阻Rds On(Max) 3.2mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 125nC
输入电容(Ciss)(Max) 8020pF
功率(Max) 204W
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
品牌：Infineon
历史库存：76
历史单价：2.66963（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@3.2A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
历史库存：30
历史单价：33.51400（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.6毫欧@180A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
栅极电荷(Qg)(Max) 540nC
输入电容(Ciss)(Max) 19860pF
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
历史库存：100
历史单价：13.52971（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5毫欧@75A，10V
连续漏极电流Id@25℃ 120A
输入电容(Ciss)(Max) 9620pF
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
历史库存：50
历史单价：12.55500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11毫欧@62A，10V
漏源极电压（Vdss） 150V
输入电容(Ciss)(Max) 5270pF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
历史库存：98
历史单价：3.58800（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 600毫欧@2.9A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
历史单价：5.39325（最新价格请咨询）
FET类型 N+N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 73毫欧@2.2A，10V
漏源极电压（Vdss） 80V
连续漏极电流Id@25℃ 3.6A
功率(Max) 2W
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
品牌：ROHM
历史库存：19
历史单价：1.01405（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@1mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.2欧姆@100mA，2.5V
连续漏极电流Id@25℃ 200mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 25pF
工作温度(Tj) 150°C
