阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 142nC

输入电容(Ciss)(Max) 11659pF

功率(Max) 333W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.2毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 5.2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 52nC

输入电容(Ciss)(Max) 3789pF

功率(Max) 203W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 19毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 24.2A

导通电阻Rds On(Max) 19mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 808pF

功率(Max) 38W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.8毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 40A

导通电阻Rds On(Max) 5.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 32.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 2210pF

功率(Max) 68W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 3.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 114nC

输入电容(Ciss)(Max) 8920pF

功率(Max) 293W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 79nC

输入电容(Ciss)(Max) 6200pF

功率(Max) 234W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 43A

导通电阻Rds On(Max) 15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 1262pF

功率(Max) 62W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.1毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 40A

导通电阻Rds On(Max) 5.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 31.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 2352pF

功率(Max) 68W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 45毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 15.4A

导通电阻Rds On(Max) 45mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 9.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 535pF

功率(Max) 32W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 27.5毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 29A

导通电阻Rds On(Max) 27.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34nC

输入电容(Ciss)(Max) 2137pF

功率(Max) 64W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8