晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 120

集电极电流Ic(Max) 1500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 25V

功率(Max) 300mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 600mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 25V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 150MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323

集电极电流Ic(Max) 20mA

集射极击穿电压Vce(Max) 30V

功率(Max) 100mW

跃迁频率 550MHz

工作温度(Tj) 125°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 300mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 2000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 20V

功率(Max) 540mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 3000mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 20

集电极电流Ic(Max) 1500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 400V

功率(Max) 900mW

跃迁频率 4MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-92

集电极电流Ic(Max) 200mA

集射极击穿电压Vce(Max) 400V

功率(Max) 625mW

跃迁频率 50MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

集电极电流Ic(Max) 5A

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 3W

跃迁频率 120MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

元件生命周期 Active

晶体管类型 PNP

集射极击穿电压Vce(Max) 25V

功率(Max) 300mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-89

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 113毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 12A

导通电阻Rds On(Max) 113mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 601pF

功率(Max) 45W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 75毫欧@13A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 23A

导通电阻Rds On(Max) 75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 1210pF

功率(Max) 99W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK