阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA

漏极电流Idss 4A

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 58毫欧@4.8A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 4A

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

输入电容(Ciss)(Max) 665pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -50°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT96-1

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 2000mA

导通电阻Rds On(Max) 234mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

功率(Max) 483W

工作温度(Tj) -40°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-247 ,SOT-429

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 4.5V@50µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 800V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 7.7nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 105毫欧@3.4A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 3.4A

功率(Max) 2W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT96-1

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.2欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 270mA

栅极电荷(Qg)(Max) 1.8nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 270毫欧@5.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 500mV@250µA

漏极电流Idss -4.2A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 100mΩ

功率(Max) 1.38W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23