晶体管 返回上级>>
通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOSFETs VBsemi BSL302SN

N-Channel SOT23-6 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):424pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):42pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.94920(最新价格请咨询

MOSFETs NCE NCE6080K

功率(Pd):110W 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ 10V,20A 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 类型:N沟道

品牌:NCE

历史库存:200

历史单价:1.94440(最新价格请咨询

特殊用途晶体管 Nexperia PBSM5240PFH,115

TRANS PNP/N CH 40V 1.8A 6HUSON

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管 Infineon IPP80P03P4L04AKSA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

品牌:Infineon

历史库存:销售,并且可以通过 Future、Rs、 等渠道进行代购。IPP80P03P4L04AKSA1价格参考¥15.24469。InfineonIPP80P03P4L04AKSA1封装/规格:SOT78,TO-220AB,SC-46,MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3。你可以下载IPP80P03P4L04AKSA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:IPP80

历史单价:18.01646(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) HX HX3415(4A) (SOT-23)

P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-4A P=1W

品牌:HX

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管(阵列) ON NTZD3154NT1G

2N沟道 VDS=20V VGS=±7V ID=540mA P=250mW 2通路

品牌:ON

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管(阵列) DIODES DMN2011UFX-7

2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=12.2A P=2.1W 2通路

品牌:DIODES

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管(单) DIODES DMN601K-7

N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=300mA P=350mW

品牌:DIODES

历史库存:0

历史单价:0.14255(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) IR IRFR120ZPBF

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=8.7A

品牌:IR

历史库存:0

历史单价:2.30179(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Vishay SUM85N15-19-E3

N沟道 VDS=150V VGS=±20V ID=85A P=375W

品牌:Vishay

历史库存:0

历史单价:16.33100(最新价格请咨询

微信:
huanqiu-ic
复制微信号
电话: