TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
品牌：Nexperia
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是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 150mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 200mW
跃迁频率 -
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-323，SC-70
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 300mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
集电极电流Ic(Max) 500mA
功率(Max) 250mW
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30
跃迁频率 230MHz
封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3
零件状态 Digi-Key已不再提供
封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
TRANS PNP 100V 1A SOT223
Vce饱和压降(Max) 320mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 125
集电极电流Ic(Max) 1000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 100V
功率(Max) 1.4W
跃迁频率 100MHz
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP
Vce饱和压降(Max) 200mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80
功率(Max) 625mW
封装/外壳 SOT-363
TRANS PNP 30V 3A SOT1061
集电极电流Ic(Max) 3000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 30V
功率(Max) 2.1W
跃迁频率 165MHz
封装/外壳 SOT-1061
