N沟道 VDS=60V VGS=20V ID=2A P=1.25W
品牌：UMW
历史库存：2993
历史单价：0.42000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 2A
FET类型 N沟道
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 2000mA
导通电阻Rds On(Max) 160mΩ
功率(Max) 1.25W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=5.5A
品牌：WINSOK
历史库存：100
历史单价：0.27500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA
漏极电流Idss 5.5A
漏源极电压（Vdss） 20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 26mΩ
功率(Max) 1.2W
封装/外壳 SOT-23-3L
P-Channel VDS=-30V VGS=±12V ID=-4.1A PD=0.35W
品牌：Slkor
历史库存：3000
历史单价：0.15630（最新价格请咨询）
P沟道.-60V.-2A.175mΩ
历史库存：2500
历史单价：0.70000（最新价格请咨询）
FET类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -60V
连续漏极电流Id@25℃ 2A
导通电阻Rds On(Max) 260mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 6.3nC
输入电容(Ciss)(Max) 12pF
功率(Max) 2W
封装/外壳 SOT-223
N沟道.20V.80A.2.8mΩ
历史库存：1500
历史单价：1.35800（最新价格请咨询）
连续漏极电流Id@25℃ 80A
导通电阻Rds On(Max) 4mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 11.05nC
输入电容(Ciss)(Max) 3200pF
功率(Max) 81W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 DFN5X6-8
N沟道.100V.40A.13.8mΩ
历史单价：3.37500（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 40A
导通电阻Rds On(Max) 20mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 16.2nC
输入电容(Ciss)(Max) 1003.9pF
功率(Max) 71W
封装/外壳 TO-252
N沟道 20v 26mΩ 1.2w 7A
品牌：PJ
历史单价：0.22750（最新价格请咨询）
连续漏极电流Id@25℃ 7A
栅极电荷(Qg)(Max) 15nC
输入电容(Ciss)(Max) 1150pF
工作温度(Tj) 150°C
PDTC123ET/SOT23/TO-236AB
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 150mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 250mW
跃迁频率 -
PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
Vce饱和压降(Max) 300mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 70
集电极电流Ic(Max) 500mA
PDTC143XU/SOT323/SC-70
Vce饱和压降(Max) 100mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 50
功率(Max) 200mW
跃迁频率 230MHz
封装/外壳 SOT-323，SC-70
