场效应管 SO-8 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.1A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
品牌：VBsemi
历史单价：1.42380（
场效应管 SOT89-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@2.5V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA N沟道,30V,6.8A,33mΩ@10V
品牌：VBsemi
历史单价：1.06820（
场效应管 SC75-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：850mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：390mΩ@2.5V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA N沟道,20V,1A,200mΩ@4.5V
品牌：VBsemi
历史单价：0.63600（
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
品牌：Infineon
历史单价：10.86750（