阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 36毫欧@2.4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4A

导通电阻Rds On(Max) 36mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 1890pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 34毫欧@3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.5A

导通电阻Rds On(Max) 34mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 17nC

输入电容(Ciss)(Max) 1465pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 32毫欧@4.5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.5A

导通电阻Rds On(Max) 32mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1820pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 24毫欧@5.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5.5A

导通电阻Rds On(Max) 24mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 18nC

输入电容(Ciss)(Max) 597pF

功率(Max) 460mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 650V

导通电阻Rds On(Max) 39mΩ

功率(Max) 39W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

功率(Max) 1.25W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

漏源电压(Vdss) 30V

功率(Max) 18.9W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252-4L

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 140A

导通电阻Rds On(Max) 4.8mΩ

功率(Max) 250W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-263-2L

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250uA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 16mΩ

功率(Max) 22W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250uA

漏源电压(Vdss) -30V

功率(Max) 2.5W，2.08W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)