阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9.1毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 57A

导通电阻Rds On(Max) 9.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 16.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 894pF

功率(Max) 52W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.7毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 90A

导通电阻Rds On(Max) 8.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 52nC

输入电容(Ciss)(Max) 3346pF

功率(Max) 170W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 45毫欧@2A,4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.2A

导通电阻Rds On(Max) 45mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 793pF

功率(Max) 480mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 380毫欧@900mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 800mA

导通电阻Rds On(Max) 380mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 3.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 101pF

功率(Max) 323mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 32毫欧@4.7A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.7A

导通电阻Rds On(Max) 32mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10nC

输入电容(Ciss)(Max) 490pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 2.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 43pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 32毫欧@4.5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.5A

导通电阻Rds On(Max) 32mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1820pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 2.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 43pF

功率(Max) 265mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1216，DFN1010B-6

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 47毫欧@4.3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.3A

导通电阻Rds On(Max) 47mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 505pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 1.9A

导通电阻Rds On(Max) 230mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 215pF

功率(Max) 1.6W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6