阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 56nC

输入电容(Ciss)(Max) 3501pF

功率(Max) 130W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 112毫欧@2.8A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 3.9V@240µA

漏极电流Idss 4A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.3欧姆@2.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 800V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 800V

导通电阻Rds On(Max) 1.1mΩ

功率(Max) 63W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) -100V

连续漏极电流Id@25℃ -34A

导通电阻Rds On(Max) 40mΩ

功率(Max) 96W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 450V

连续漏极电流Id@25℃ 13A

导通电阻Rds On(Max) 470mΩ

功率(Max) 39W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 通孔(THT)

阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

FET类型 N+N沟道

漏源电压(Vdss) 40V

导通电阻Rds On(Max) 7.8mΩ

功率(Max) 125W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN5x6

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) -30V

导通电阻Rds On(Max) 35mΩ

功率(Max) 3100W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 480毫欧@200mA，5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.03A

导通电阻Rds On(Max) 480mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 37.1pF

功率(Max) 450mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

阈值电压Vgs(th) 4V@150µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9毫欧@58A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

输入电容(Ciss)(Max) 4820pF

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46