MOS场效应管 Infineon IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
品牌:Infineon
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阈值电压Vgs(th)
5V@250µA
漏极电流Idss
65A
FET类型
N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)
24毫欧@46A,10V
漏源极电压(Vdss)
200V
是否无铅
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态
在售
漏源电压(Vdss)
200V
导通电阻Rds On(Max)
19.7mΩ
功率(Max)
330W
工作温度(Tj)
-40°C~175°C
安装类型
通孔(THT)
封装/外壳
SOT78,TO-220AB,SC-46