阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 500毫欧@3.1A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 27毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 5.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 235毫欧@8A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 65毫欧@3.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 3.8A

导通电阻Rds On(Max) 65mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 563pF

功率(Max) 1.08W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 180mA

导通电阻Rds On(Max) 7.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.35nC

输入电容(Ciss)(Max) 36pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 360mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 56pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 120V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 120V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

栅极电荷(Qg)(Max) 167nC

输入电容(Ciss)(Max) 9473pF

功率(Max) 349W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.8毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 83A

导通电阻Rds On(Max) 7.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 128nC

输入电容(Ciss)(Max) 7110pF

功率(Max) 294W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 66A

导通电阻Rds On(Max) 6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 21.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 1225pF

功率(Max) 47W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)