MOSFETs VBsemi SI2305DS-T1-GE3
Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6.4nC@2.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
品牌:VBsemi
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。SI2305DS-T1-GE3价格参考¥0.23954。VBsemiSI2305DS-T1-GE3封装/规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg
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