SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-247
品牌：SPTECH
历史库存：20
历史单价：7.47500（最新价格请咨询）
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 1000mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 18
集电极电流Ic(Max) 12000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 800V
功率(Max) 150W
跃迁频率 8MHz
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-3
历史库存：25
历史单价：5.75000（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 4000mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 15
集电极电流Ic(Max) 16000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 140V
跃迁频率 -
封装/外壳 TO-3
SPTECH Silicon NPN Power Transistor
历史库存：30
历史单价：4.16000（最新价格请咨询）
元件生命周期 Active
原产国家 China
原始制造商 Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd.
品牌 SPTECH
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10
集电极电流Ic(Max) 15A
集射极击穿电压Vce(Max) 400V
功率(Max) 80W
封装/外壳 DIP
SPTECH Silicon PNP Power Transistor TO-3PN
历史单价：5.20000（最新价格请咨询）
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 600mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 50
集电极电流Ic(Max) 15000mA
功率(Max) 200W
SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-3PN
历史单价：4.60000（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 2000mV
集射极击穿电压Vce(Max) 230V
SPTECH Silicon PNP Power Transistor TO-3
历史单价：3.12000（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 1500mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60
集电极电流Ic(Max) 10000mA
功率(Max) 100W
跃迁频率 90MHz
PMN28UNE/SOT457/SC-74
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 5.5A
导通电阻Rds On(Max) 32mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 10nC
输入电容(Ciss)(Max) 490pF
功率(Max) 570mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-457-6
PMN120ENEA/SOT457/SC-74
阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 2.4A
导通电阻Rds On(Max) 123mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 7.4nC
输入电容(Ciss)(Max) 275pF
PMH550UNE/SOT8001/DFN0606-3
阈值电压Vgs(th) 0.95V@250µA
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 770mA
导通电阻Rds On(Max) 670mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 0.4nC
输入电容(Ciss)(Max) 30.3pF
功率(Max) 380mW
封装/外壳 SOT-8001,DFN0606-3
BUK9M11-40H/SOT1210/mLFPAK
阈值电压Vgs(th) 2.2V @ 1mA
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 35A
导通电阻Rds On(Max) 11mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 21nC
输入电容(Ciss)(Max) 1345pF
功率(Max) 50W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 LFPAK33-8
