晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 2500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 55

集电极电流Ic(Max) 8000mA

集射极击穿电压Vce(Max) -120V

功率(Max) 80W

跃迁频率 10MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 2000mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 55

集电极电流Ic(Max) 10000mA

功率(Max) 100W

跃迁频率 15MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 4000mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 25

集电极电流Ic(Max) 25mA

功率(Max) 125W

跃迁频率 -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-3

元件生命周期 Active

存储温度 -55~+200℃

原产国家 China

原始制造商 Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd.

品牌 SPTECH

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 1000

集电极电流Ic(Max) -30A

跃迁频率 -

工作温度(Tj) 200°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 DIP

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 1200mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 75

集电极电流Ic(Max) 300mA

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 350mW

跃迁频率 -

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252-2(DPAK)

元件生命周期 Active

原产国家 China Taiwan

零件状态 Active

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 25V

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200

集电极电流Ic(Max) 1.5A

集射极击穿电压Vce(Max) 0.5V

功率(Max) 300mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 202mW

跃迁频率 -

安装类型 表面贴装(SMT)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

Vce饱和压降(Max) 300mV

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 200MHz

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

Vce饱和压降(Max) 300mV

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 200MHz

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346