TRANS NPN 20V 1A SOT223
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 600mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 50
集电极电流Ic(Max) 2000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 20V
功率(Max) 650mW
跃迁频率 170MHz
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-223
NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A，丝印：Y1
品牌：JCET
历史库存：10
历史单价：0.16931（最新价格请咨询）
SPTECH Silicon PNP Power Transistor TO-3
品牌：SPTECH
历史库存：30
历史单价：3.12000（最新价格请咨询）
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 1500mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60
集电极电流Ic(Max) 10000mA
功率(Max) 100W
跃迁频率 60MHz
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-3
DIP Transistors PNP 60V-600mA;TO-92
历史库存：1000
历史单价：0.12301（最新价格请咨询）
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
集电极电流Ic(Max) 600mA
功率(Max) 625mW
跃迁频率 200MHz
TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3
品牌：DIODES
历史库存：600
历史单价：0.25500（最新价格请咨询）
原始制造商 Diodes Incorporated
品牌 DIODES
系列 Automotive, AEC-Q101
零件状态 Active
Vce饱和压降(Max) 700mV
集电极电流Ic(Max) 500mA
功率(Max) 350mW
工作温度(Tj) -65~+150℃
安装类型 SMT
封装/外壳 TO-236-3
功率(Pd)：350mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 晶体管类型：PNP PNP
品牌：SK
历史库存：2940
历史单价：0.08250（最新价格请咨询）
封装/外壳 SOT-23
三极管 PNP Ic=-2A Vceo=-50V hfe=180~390 fT=200MHz P=500mW R档 SOT-89-3L
历史单价：0.30000（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 350mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 180
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 0.5W
封装/外壳 SOT-89
VCEO=50V V(BR)CEO=50V fT =180MHz
品牌：CBI
历史库存：3000
历史单价：0.06450（最新价格请咨询）
封装/外壳 SOT-523
三极管
历史单价：0.06300（最新价格请咨询）
历史单价：0.27751（最新价格请咨询）
