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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOS场效应管(单) YENJI IRLML2502

场效应管 SOT-23 N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=4.2A P=1250mW

品牌:YENJI

历史库存:2960

历史单价:0.30000(最新价格请咨询

MOSFETs iscsemi IRF740

MOSFETs IRF740

品牌:iscsemi

历史库存:92

历史单价:4.27700(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AO7800

Vds=20V Id=2.3A SC70-6 类型 N+N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):5nC@8V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:435

历史单价:1.01700(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) YENJI DMG1012T

场效应管 SOT-523 N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=0.65A P=270mW

品牌:YENJI

历史库存:1270

历史单价:0.22500(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi APM2701AC

Vds=20V Id=5.5A,3.4A TSOP-6 类型 N+P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.5A 功率(Pd):1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,2.5A;55mΩ@10V,1.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.6V@250uA;0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@5V;2.4nC@5V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:496

历史单价:1.01700(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi 2SJ355

Vds=30V Id=6A SOT89-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:1.06820(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AO5404E

Vds=20V Id=0.7A SC75-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):700mA 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.63600(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE3400AY

VDS=30V ID=4.8A PD=1.9W VGS=±12V

品牌:NCE

历史库存:2680

历史单价:0.38250(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi 2N7002BK

N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):250mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA SOT-23-3

品牌:VBsemi

历史库存:485

历史单价:0.20400(最新价格请咨询

晶体管 Infineon IRFP064NPBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC

品牌:Infineon

历史库存:20

历史单价:5.75000(最新价格请咨询

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