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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOS场效应管(单) NCE NCE6005AR

VDS=60V ID=5A PD=2W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:235

历史单价:0.88200(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) TECHCODE TDM3428B

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=36A P=3.5W

品牌:TECHCODE

历史库存:30

历史单价:0.91000(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) TECHCODE TDM3478

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=15.2A P=2.08W

品牌:TECHCODE

历史库存:30

历史单价:0.97500(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) TECHCODE TDM3434

N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=25A P=2.72W

品牌:TECHCODE

历史库存:30

历史单价:2.28800(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) TECHCODE TDM3205

P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-25A P=62.5W

品牌:TECHCODE

历史库存:30

历史单价:2.27500(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE30H15K

VDS=30V ID=150A PD=130W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:198

历史单价:1.56249(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi HM2305PR

Vds=30V Id=6.2A SOT89-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.6A 功率(Pd):6.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1355pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):145pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:1.06820(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi IRLML6401GTRPBF

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):-5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.42630(最新价格请咨询

MOSFETs NCE NCE4435

功率(Pd):3.1W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ 10V,9.1A 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.1A 类型:P沟道 P沟道 30V 9.1A ,Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比

品牌:NCE

历史库存:580

历史单价:0.72520(最新价格请咨询

MOS场效应管 DIODES 2N7002KQ-7

MOSFETs SOT-23

品牌:DIODES

历史库存:5

历史单价:0.17250(最新价格请咨询

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