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MOS场效应管(单) Nexperia PSMN3R0-60BS,118

N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=100A P=306W

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管(单) Nexperia PSMN2R6-30YLC,115

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100A P=106W

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管(单) Nexperia PSMN2R4-30YLDX

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100A P=106W

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管(单) NCE NCEP40T13GU

VDS=40V ID=130A PD=130W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:4884

历史单价:2.51100(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCEP040N10D

VDS=100V ID=130A PD=210W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:800

历史单价:4.69800(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE82H110D

VDS=82V ID=110A PD=200W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:795

历史单价:4.37400(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi FDC8884

Vds=30V Id=5.5A TSOP-6 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):424pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):42pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:1.01700(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi MT4606

Vds=30V Id=6.8A,6.6A SOP8 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.8A;40mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:57

历史单价:1.54310(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi NCE4953

Vds=30V Id=7.3A SOP-8 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.3A 功率(Pd):5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):1.35nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):185pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:58

历史单价:1.54310(最新价格请咨询

MOSFETs NCE NCEP0178AK

品牌:NCE

历史库存:2474

历史单价:2.43000(最新价格请咨询

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