阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 5.7A

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 3.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 113pF

功率(Max) 7.5W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 120毫欧@2.4A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 2.4A

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 309pF

功率(Max) 400mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1215，DFN1010D-3

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 55毫欧@3.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 3.2A

导通电阻Rds On(Max) 55mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 209pF

功率(Max) 400mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1215，DFN1010D-3

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 66毫欧@3.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3.2A

导通电阻Rds On(Max) 66mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 24pF

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 320毫欧@1.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.2A

导通电阻Rds On(Max) 320mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 46pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 470毫欧@900mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 900mA

导通电阻Rds On(Max) 470mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 41pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 1.05V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 490毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 900mA

导通电阻Rds On(Max) 490mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.16nC

输入电容(Ciss)(Max) 78pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 42毫欧@4.1A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.1A

导通电阻Rds On(Max) 42mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 209pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N+N沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.2A

导通电阻Rds On(Max) 45mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 793pF

功率(Max) 480mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 36毫欧@3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.4A

导通电阻Rds On(Max) 36mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1820pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB