晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
品牌：TWGMC
历史单价：0.05700（
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
品牌：ROHM
历史单价：0.13501（
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
品牌：TWGMC
历史单价：0.05400（
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
品牌：ROHM
历史单价：0.11475（
