正向压降（Vf）：700mV @ 3A 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：3A 40V,3A,VF=0.7V@3A
品牌：MDD
历史库存：2
历史单价：0.86570（最新价格请咨询）
封装/外壳 SMC(DO-214AB)
功率(Pd)：- 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：600mA 晶体管类型：PNP PNP
品牌：KEC
历史库存：2000
历史单价：0.17999（最新价格请咨询）
封装/外壳 TO-92
三极管
品牌：iscsemi
历史库存：100
历史单价：2.91250（最新价格请咨询）
元件生命周期 Active
存储温度 -55~+150℃
原产国家 China
原始制造商 Inchange Semiconductor Company Limited
品牌 Iscsemi
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 8
集电极电流Ic(Max) 3A
集射极击穿电压Vce(Max) 800V
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-220C
历史单价：1.43750（最新价格请咨询）
认证信息 RoHS
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 40
集电极电流Ic(Max) 200mA
封装/外壳 TO-220
PNP Ic=-12A Vceo=-50V hfe=50 P=60W TO-3P
品牌：SPTECH
历史库存：25
历史单价：6.50000（最新价格请咨询）
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 500mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 50
集电极电流Ic(Max) 12000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 60W
跃迁频率 25MHz
工作温度(Tj) 150°C
SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-3PN
历史库存：30
历史单价：3.90000（最新价格请咨询）
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 70
集电极电流Ic(Max) 7A
集射极击穿电压Vce(Max) 120V
功率(Max) 70W
跃迁频率 20MHz
封装/外壳 TO-3
SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-220C
历史库存：44
历史单价：1.95000（最新价格请咨询）
集电极电流Ic(Max) 8000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 150V
功率(Max) 50W
SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-3PL
历史单价：11.50000（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 5V
集电极电流Ic(Max) 20A
功率(Max) 250W
跃迁频率 -
SPTECH Silicon PNP Power Transistor TO-3PML
SPTECH Silicon PNP Power Transistor TO-3PI
历史单价：3.12000（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 2000mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 55
集电极电流Ic(Max) 10000mA
功率(Max) 100W
跃迁频率 30MHz
