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通用三极管达林顿三极管带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅功率模块 IGBT

MOS场效应管(阵列) WINSOK WSD2098N23

2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9.7A 2通路

品牌：WINSOK

历史库存：497

历史单价：0.99400（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) ON FDV301N

N沟道 VDS=25V VGS=±8V ID=220mA

品牌：ON

历史库存：2539

历史单价：0.45001（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) SK BSS138

N沟道 VDS=50V VGS=±20V ID=200mA

品牌：SK

历史库存：1667

历史单价：0.09450（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) WINSOK WST2339

P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A

品牌：WINSOK

历史库存：720

历史单价：0.52500（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) JCET 2n7002<a href="/ic/2N7002" target="_blank" class="tag">2N7002</a>

N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=225mW

品牌：JCET

历史库存：26320

历史单价：0.09616（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) Vishay SI2312BDS-T1-E3

N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=3.9A P=750mW

品牌：Vishay

历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、Future、等渠道进行代购。SI2312BDS-T1-E3价格参考￥5.06000。VishaySI2312BDS-T1-E3封装/规格：SOT-23-3(SC-59,TO-236-3),N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=3.9A P=750mW。你可以下载SI2312BDS-T1-E3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程手机版：

历史单价：5.06000（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) Vishay SI2302CDS-T1-GE3

N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.6A P=860mW

品牌：Vishay

历史库存：2352

历史单价：0.60600（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) DIODES DMG6968U-7

N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=6.5A P=1.3W

品牌：DIODES

历史库存：1396

历史单价：0.73255（最新价格请咨询）

MOSFETs NCE NCE20P45Q

功率(Pd)：80W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ 4.5V,20A 漏源电压(Vdss)：19V 连续漏极电流(Id)：45A 类型：P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V

品牌：NCE

历史库存：500

历史单价：1.58399（最新价格请咨询）

MOSFETs Infineon BSC030N08NS5

功率(Pd)：2.5W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.8V 95μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ 50A,10V 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 类型：N沟道

品牌：Infineon

历史库存：4

历史单价：9.75199（最新价格请咨询）