输入电容(Ciss@Vds)：1.25nF 15V 反向传输电容(Crss@Vds)：90pF 15V 功率(Pd)：1.3W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ 10V,4.3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：24.8nC 10V 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.6A 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 工作温度(最小值)：- 类型：P沟道
品牌：WILLSEMI
历史库存：500
历史单价：0.41370（最新价格请咨询）
FET类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 4.6A
导通电阻Rds On(Max) 38mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 24.8nC
输入电容(Ciss)(Max) 1250pF
功率(Max) 1.3W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23-3
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.7A P=1.4W
品牌：AsiaChip
历史库存：2550
历史单价：0.25500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA
FET类型 N沟道
导通电阻Rds On(Max) 35.2mΩ
功率(Max) 1.4W
Vgs(Max) : -2.3V Qg(Max) : 60nC
品牌：AOS
历史库存：100
历史单价：1.88916（最新价格请咨询）
连续漏极电流Id@25℃ 14A
导通电阻Rds On(Max) 11.5mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 60nC
输入电容(Ciss)(Max) 2050pF
功率(Max) 3.1W
封装/外壳 SOP-8
DFN5x6 Vdss : 120V Rds On(Max) : 7mΩ
历史库存：30
历史单价：8.83129（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) 120V
连续漏极电流Id@25℃ 385mA
导通电阻Rds On(Max) 7.0mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 65nC
功率(Max) 215W
封装/外壳 DFN5x6
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=7A
品牌：WINSOK
历史库存：1999
历史单价：0.84000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss 7A
漏源极电压（Vdss） 30V
连续漏极电流Id@25℃ 7A
导通电阻Rds On(Max) 23mΩ
功率(Max) 1.8W
N沟道 VDS=20V VGS=±10V ID=12A
历史库存：1000
历史单价：0.75600（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA
漏极电流Idss 12A
漏源极电压（Vdss） 20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 15mΩ
功率(Max) 1.5W
封装/外壳 DFN2X2-6L
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=40A
历史库存：290
历史单价：0.96600（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 600mV@250µA
漏极电流Idss 40A
导通电阻Rds On(Max) 8.2mΩ
功率(Max) 28W
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A 2通路
历史库存：980
历史单价：0.74200（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 7.5A
FET类型 N+N沟道
连续漏极电流Id@25℃ 7.5A
导通电阻Rds On(Max) 15.5mΩ
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=85A
历史库存：180
历史单价：1.91700（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.7V@250µA
漏极电流Idss 85A
导通电阻Rds On(Max) 1.7mΩ
功率(Max) 50W
封装/外壳 DFN5X6-8
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=40A
历史单价：1.26000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA
导通电阻Rds On(Max) 9mΩ
功率(Max) 32W
