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MOS场效应管(阵列) WINSOK WSD2068N23

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) WINSOK WSD2068N23

制造商型号: WSD2068N23
制造商: WINSOK
封装/规格: DFN2X3A_EP
商品描述:
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A 2通路

PDF资料: WSD2068N23.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    700mV@250µA

    漏极电流Idss

    7.5A

    FET类型

    N+N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    7.5A

    导通电阻Rds On(Max)

    15.5mΩ

    功率(Max)

    1.5W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
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