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MOS场效应管(单) Vishay SIHG20N50C-E3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Vishay SIHG20N50C-E3

制造商型号: SIHG20N50C-E3
制造商: Vishay
封装/规格: TO-247-3(TO-247AC)
商品描述:
N沟道 VDS=500V VGS=±30V ID=20A P=250W

PDF资料: SIHG20N50C-E3.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    5V@250µA

    漏极电流Idss

    20A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    270毫欧@10A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    500V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    500V

    导通电阻Rds On(Max)

    270mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    76nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    2942pF

    功率(Max)

    250W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    通孔(THT)

    技术资料文档
    数据手册 SIHG20N50C-E3.pdf

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