阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

FET类型 P沟道

元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

品牌 Ruichips

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) -40V

连续漏极电流Id@25℃ -9.5A

导通电阻Rds On(Max) 30mΩ

功率(Max) 3.1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

封装/外壳 SOT-23

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 -

晶体管类型 PNP

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 246mW

跃迁频率 -

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

晶体管类型 NPN+NPN

Vce饱和压降(Max) 100mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 300mW

跃迁频率 -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363-6，SC-88

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 150mW

跃迁频率 -

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 187mW

跃迁频率 -

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 150MHz

封装/外壳 SOT-23-3

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 250mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 35

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 246mW

跃迁频率 -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23