晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 300mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) -

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 150MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 120

集电极电流Ic(Max) 1.5A

集射极击穿电压Vce(Max) 25V

功率(Max) 300mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

Vce饱和压降(Max) 370mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 3000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 1.6W

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-89

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 80V

功率(Max) 650mW

跃迁频率 145MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-223

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 500mW

跃迁频率 180MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-89，SC-62，TO-243

封装/外壳 TO-247-3

可控硅类型 单向可控硅

断态电压 400V

通态电流It(RMS)(Max) 800mA

栅极触发电压(Max) 800mV

栅极触发电流(Max) 200µA

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

可控硅类型 单向可控硅

断态电压 400V

通态电流It(RMS)(Max) 600mA

栅极触发电压(Max) 800mV

栅极触发电流(Max) -

工作温度(Tj) -40°C~125°C

安装类型 通孔(THT)

阈值电压Vgs(th) 0.7V@250uA

漏极电流Idss 1µA

FET类型 N沟道

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 5.5A

导通电阻Rds On(Max) 26mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 13nC

输入电容(Ciss)(Max) 1045pF

功率(Max) 1.2W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

品牌 Ruichips

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) -60V

连续漏极电流Id@25℃ 16A

导通电阻Rds On(Max) 125mΩ

功率(Max) 50W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252